等离子刻蚀设备

500

高端等离子刻蚀设备SI 500使用低离子能量的电感耦合等离子体用于低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀。通过在广泛的温度范围内的动态温度控制确保了可重复且稳定的等离子刻蚀条件。深反应等离子刻蚀(硅,III-V族半导体,MEMS)可采用低温工艺和室温下的气体切换工艺来实现。详见SI 500 ICP RIE介绍!


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200

经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200 具备低成本效益高的特点,并且支持揭盖直接放置样片。EtchLab 200 允许通过载片器,实现多片工艺样品的快速装载,也可以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小,模块化和灵活性等设计特点。详见EtchLab 200 介绍!


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SI 591特别适用于采用氟基和氯基气体的工艺,可以通过预真空室和电脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小,高度灵活性,例如,SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。详见SI 591介绍!


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