等离子刻蚀设备
高端等离子刻蚀设备SI 500使用低离子能量的电感耦合等离子体用于低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀。通过在广泛的温度范围内的动态温度控制确保了可重复且稳定的等离子刻蚀条件。深反应等离子刻蚀（硅，III-V族半导体，MEMS）可采用低温工艺和室温下的气体切换工艺来实现。详见SI 500 ICP RIE介绍！
高端ICPECVD设备SI 500 D 为基于等离子体的沉积工艺提供了优异的性能。使用PTSA ICP等离子体源产生的高密度PECVD沉积高质量的介质膜和硅膜。平行板三螺旋天线(PTSA)保证了沉积薄膜的优异性能，如在非常低的沉积温度下(≤100℃)实现低刻蚀速率，低应力和低界面态密度。详见SI 500 D介绍!
SENTECH原子层沉积设备实现了热ALD和等离子体增强ALD操作。ALD设备可以配置为用于氧化物、氮化物和金属沉积。三维结构具有出色的均匀性和保行性。利用ALD、PECVD和ICPECVD，SENTECH提供等离子体沉积技术，用于从纳米尺度沉积到数微米的薄膜沉积。
灵活的PECVD系统SI 500 PPD 具有多种标准的等离子沉积工艺。用电容耦合等离子体沉积SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si。灵活的设计允许使用气态或用于PECVD的液体前驱体TEOS。详见SI 500 PPD 介绍!
SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。
SENTECH ALD实时监测仪是一种新型的光学诊断工具，是心灵超高分辨率的单一ALD循环。在不破坏真空的条件下分析薄膜特性(生长速率，厚度，折射率)，在短时间内开发新工艺、实时研究ALD循环中的反应机理是SENTECH ALD实时监测仪的主要应用。
直接置片的PECVD设备Depolab 200 结合了成本效益的直接载片和平行板等离子体源在一起的基本的，紧凑的设计。易于使用的直接载片系统实现了用户友好的批量工艺(使用载片器或直接加载到衬底电极)。智能的PECVD系统可以升级，以达到提高性能的需求。详见Depolab 200 介绍!
经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200 具备低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接放置样片。EtchLab 200 允许通过载片器，实现多片工艺样品的快速装载，也可以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小，模块化和灵活性等设计特点。详见EtchLab 200 介绍!
SI 591特别适用于采用氟基和氯基气体的工艺，可以通过预真空室和电脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。详见SI 591介绍!
