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技术支持

等离子刻蚀:

硅基MEMS低温ICP 刻蚀

GaAs/AlGaAs VCSEL高速刻蚀

GaN 在ICP中的刻蚀工艺

Bosch工艺气体切换深硅刻蚀

金属铌Niobium 在ICP中的刻蚀工艺

硅锗纳米线的低损伤刻蚀

压电材料铌酸锂的ICP刻蚀工艺

汞碲化镉MCT(Mercury Cadmium Telluride)的刻蚀工艺

压电材料钽酸锂的ICP刻蚀工艺

二氧化硅微透镜阵列的ICP刻蚀工艺

碳化硅通孔的刻蚀

GaAs/AlGaAs叠层结构的刻蚀

硅/硅锗量子线的刻蚀

石英二元光学玻璃的刻蚀

金属铬Cr的ICP刻蚀工艺

特殊材料LanGaSit(La3Ga5SiO14) 的ICP刻蚀

聚合物的刻蚀

金属氧化物ZrO2的刻蚀

特殊材料PZT(Lead Zirkonate Titanate) 的ICP刻蚀

GaSb的ICP刻蚀工艺

InSb的ICP刻蚀工艺

光子晶体PhC的ICP刻蚀工艺

蓝宝石sapphire的刻蚀工艺

金刚石的刻蚀工艺

侧壁光滑的InP pillar的刻蚀工艺

等离子沉积:

低应力介质膜Si3N4的沉积

低温条件下沉积介质膜Si3N4

Si3N4在AlGaAs上的低损伤沉积工艺

高电学性能SiO2的沉积工艺

GaSb pixels钝化层Si3N4的沉积

有机材料壁垒层Si3N4的沉积

非晶硅的沉

MOS barrier上SiO2的沉积工艺

以TEOS取代硅烷的SiO2的沉积工艺

碳化硅SiC的沉积工艺

Si3N4在InP上的沉积

DLC(Diamond Like Carbon)的沉积

原子层沉积:

热方式沉积Al2O3, ZnO, TiO2, HfO2等氧化物

等离子方式沉积Al2O3, SiO2, TiO2, HfO2等氧化物

等离子方式沉积AlN,Si3N4, TiN等氮化物

等离子方式沉积金属，如Pt