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RIE等离子刻蚀机Etchlab 200

200

低成本效益高

RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。

升级扩展性

根据其模块化设计,等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组,预真空室和更多的气路。

SENTECH控制软件

该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件,具有模拟图形用户界面,参数窗口,工艺编辑窗口,数据记录和用户管理。


Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族,它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载,从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。

Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料,包括但不限于硅和硅化合物,化合物半导体,介质和金属。

Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作,使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。

RIE plasma etcher with loadlockRIE plasma etcher Etchlab 200-300 for 300 mm wafersSENTECH control software for plasma equipmentSilicon micostructures etched by SF6 / O2 chemistryDeep anisotropic etching of silica with CHF2 / H2 chemistryEtching of SiO2 on silicon with CHF3 / H2 chemistryEtching of microfluidc structures in silicon

Etchlab 200

 

  • RIE等离子蚀刻机
  • 开盖设计
  • 适用于200mm的晶片
  • 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口
  • 选配椭偏仪接口

带预真空室的Etchlab 200

 

  • 带预真空室的RIE刻蚀机
  • 适用于4英寸到8英寸的晶片
  • 小片或碎片的载片器
  • 氯基刻蚀气体
  • 更大的真空泵组

Etchlab 200-300

 

  • RIE等离子蚀刻机
  • 开盖设计
  • 适用于300mm的晶片
  • 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

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