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高端等离子刻蚀设备SI 500使用低离子能量的电感耦合等离子体用于低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀。通过在广泛的温度范围内的动态温度控制确保了可重复且稳定的等离子刻蚀条件。深反应等离子刻蚀（硅，III-V族半导体，MEMS）可采用低温工艺和室温下的气体切换工艺来实现。详见SI 500 ICP RIE介绍！
MDPinline是为高速自动扫描硅晶片而设计的，它以每片不到一秒的时间记录少子寿命的全部形貌。利用微波检测光电导率定量测量少子寿命。凭借其紧凑的设计，MDPinline可以灵活地集成在传送带上或晶片分选系统中。详见MDPinline介绍!
高端ICPECVD设备SI 500 D 为基于等离子体的沉积工艺提供了优异的性能。使用PTSA ICP等离子体源产生的高密度PECVD沉积高质量的介质膜和硅膜。平行板三螺旋天线(PTSA)保证了沉积薄膜的优异性能，如在非常低的沉积温度下(≤100℃)实现低刻蚀速率，低应力和低界面态密度。详见SI 500 D介绍!
多晶形貌少子寿命测量系统是为高产量生产用户而设计的。对于一个面，以1毫米的分辨率，无接触、无破坏地测量电阻率和少子寿命花费不到一分钟。电阻率和导电类型变化的自动扫描可用于质量控制和监测炉子性能。面可以自动转动，以便测量所有的四个侧面。详见MDPinline ingot介绍!
各种不同的样品，从单晶硅到多晶硅，从生长的晶片到加工过的晶片，都可以通过MDPlinescan使用少子寿命测量进行检测。硬件系统被灵活地安装来执行样本的逐行扫描。该软件接口便于与处理系统或自动化系统进行简单的连接和通信。详见MDPlinescan介绍!
少子寿命测量仪器的特征在于以1mm分辨率对500mm的一个面在不到4分钟内完成扫描。电阻率和少子寿命的测量完全无触摸。利用微波检测光电导率(MDP)同时测量少子寿命、光电导率、电阻率和p/n导电类型的变化。详见MDPpro介绍!
SenSol是SENTECH光伏产品组合中的自动大面积扫描仪器。自动表征膜厚、薄层电阻、雾度、反射和透射的均匀性。使用SenSol，可以监测大型玻璃基板上的沉积过程的均匀性，从而可以显著减少仪器维护后重新开始生产的时间。详见SenSol 介绍!
SENperc PV 是PERC电池制造质量控制的创新解决方案。SENperc PV 测量Al2O3/SiNx堆叠层和用于钝化PERC电池的单层膜。监测沉积过程的稳定性。由此，可以优化维护时间间隔。详见SENperc PV 介绍!
反射膜厚仪RM 1000/2000具有200nm-930nm的紫外-近红外光谱范围。光学布局为光吞吐量优化，以便即使在粗糙或曲面上也能可靠地测量n和k。准确的高度和倾斜特别适用于准确的单光束反射率测量，且测量非常稳定。详见RM1000/2000介绍!
激光椭偏仪SE 400adv测量透明薄膜的厚度和折射率指数，具有测量速度、亚埃级别的厚度精度和折射率测定的精度。多角度测量允许使用激光椭偏仪SE 400adv表征吸收膜特征。详见SE 400adv介绍!
新的SENresearch 4.0设计用于光谱椭偏仪，在宽的光谱范围从190nm（深紫外）到3,500 nm（近红外）。每一台SENresearch 4.0都是客户特定的椭偏光谱解决方案。SENresearch 4.0可以配置用于全穆勒矩阵、各向异性、广义椭偏、散射测量等。使用步进扫描分析器原理实现测量结果。详见SENresearch 4.0介绍！
SENTECH原子层沉积设备实现了热ALD和等离子体增强ALD操作。ALD设备可以配置为用于氧化物、氮化物和金属沉积。三维结构具有出色的均匀性和保行性。利用ALD、PECVD和ICPECVD，SENTECH提供等离子体沉积技术，用于从纳米尺度沉积到数微米的薄膜沉积。
灵活的PECVD系统SI 500 PPD 具有多种标准的等离子沉积工艺。用电容耦合等离子体沉积SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si。灵活的设计允许使用气态或用于PECVD的液体前驱体TEOS。详见SI 500 PPD 介绍!
离线工具MDPmap是专为半导体晶片或部分工艺过的晶片的多功能、非接触和少子寿命测量而设计的。MDPmap能够连续地改变激发脉冲宽度，从非常短的脉冲(100ns)到稳态测量(几ms)，研究不同深度的缺陷动力学和少子寿命特性。直观的绘图软件适用于有效的常规测量以及复杂的研发应用。详见MDPmap介绍!
SENpro椭偏仪是椭偏仪应用的智能解决方案。它具有角度计，入射角度步进值5°。操作简单，快速测量和直观的数据分析相结合，以低成本效益高的设计来测量单层和多层膜的厚度和光学常数。详见SENpro介绍！
振动光谱的特点是傅立叶红外光谱仪FTIR。测量红外分子振动模的吸收谱带，分析长分子链的走向和薄膜的组成。红外光谱椭偏仪适用于测量导电膜的电荷载流子浓度。详见SENDIRA介绍!
FTPadv是一种具有成本效益的台式反射膜厚仪解决方案，它具有非常快速的厚度测量。在100毫秒以内进行测量，其精度低于0.3nm，膜厚范围在50 nm -25 µm。为了便于分光反射测量操作，该仪器包括了范围广泛的预定配方。详见FTPadv介绍!
SENDURO®全自动光谱椭偏仪包括基于测量处方的仅在几秒钟内即可完成的快速数据分析。椭圆仪的设计是为了便于操作：放置样品，自动样品对准，自动测量和分析结果。在全自动模式下使用光谱椭偏仪非常适合于质量控制和研发中的常规应用。详见SENDURO®介绍!
具有成本效益的台式少子寿命测试仪MDPspot可用于表征晶片或面。它为少子寿命测量提供了一个测量点。详见MDPspot介绍!
反射率、透射率和膜厚的高速在线测量是RT Inline的设计特点。传感器头阵列扫描薄膜在大型玻璃基板上的反射和/或透射，作为内部参考测量。利用FTPadv Expert软件可以方便地进行层沉积过程的在线监测。软件接口可用于与主机的数据通信。详见RT Inline介绍!
SE 400adv PV是全球化使用的标准仪器，用于测量PV单层防反射涂层的厚度和折射率指数。特别用于表征单晶和多晶硅太阳能电池上的SiNx 防反射单层膜的性能。该仪器用于SiNx涂层和薄钝化层SiO2和Al2O3的质量控制。详见SE 400adv PV 介绍!
光谱反射测量软件FTPadv Expert是专门为测量和分析R(λ)和T(λ)而设计的。用于确定各种材料的薄膜厚度、消光系数或折射率的光谱数据分析，这些参数都被加载到SENTECH光谱反射测量软件中，使得能够根据Cauchy色散、Drude振荡给出的参数描述和拟合材料。详见FTPadv expert 介绍!
椭偏仪SE 500adv将激光椭偏仪和反射仪结合在一个系统中。这种组合允许零度反射法用于快速薄膜分析，并且允许透明膜以激光椭偏仪的亚埃精度将可测量的厚度范围扩展到25埃米，从而明确地确定厚度。详见SE 500adv介绍!
SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。
SENTECH ALD实时监测仪是一种新型的光学诊断工具，是心灵超高分辨率的单一ALD循环。在不破坏真空的条件下分析薄膜特性(生长速率，厚度，折射率)，在短时间内开发新工艺、实时研究ALD循环中的反应机理是SENTECH ALD实时监测仪的主要应用。
直接置片的PECVD设备Depolab 200 结合了成本效益的直接载片和平行板等离子体源在一起的基本的，紧凑的设计。易于使用的直接载片系统实现了用户友好的批量工艺(使用载片器或直接加载到衬底电极)。智能的PECVD系统可以升级，以达到提高性能的需求。详见Depolab 200 介绍!
SENTECH仪器开发，制造和销售世界上先进的仪器设备，包括等离子刻蚀，等离子沉积和原子层沉积，以及薄膜测量仪器，包括光谱椭偏仪，反射膜厚仪和激光椭偏仪，还有光伏测量仪器。
经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200 具备低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接放置样片。EtchLab 200 允许通过载片器，实现多片工艺样品的快速装载，也可以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小，模块化和灵活性等设计特点。详见EtchLab 200 介绍!
光谱椭偏软件SpectraRay/4 的设计基于直观的工作流程。因此，SpectraRay/4 包括具有两步动作(开始测量，结果)的测量处方模式和用于逐步数据分析的交互模式。SpectraRay/4 的综合软件包支持广义椭偏，穆勒矩阵，散射法(3D轮廓仪)、各向异性和建模。详见SpectraRay/4 介绍!
SI 591特别适用于采用氟基和氯基气体的工艺，可以通过预真空室和电脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。详见SI 591介绍!
SENTECH设计了SE 800 PV，用于表征由SiNx/SiO2、SiNx/SiNy或SiNx/Al2O3组成的多层钝化膜和防反射涂层。分析了单晶和多晶硅太阳电池的折射率指数、吸收和膜厚。在配方模式下进行复杂的测量，速度快，操作容易。详见800 SE PV介绍!
