化学气相沉积
高端ICPECVD设备SI 500 D 为基于等离子体的沉积工艺提供了优异的性能。使用PTSA ICP等离子体源产生的高密度PECVD沉积高质量的介质膜和硅膜。平行板三螺旋天线(PTSA)保证了沉积薄膜的优异性能，如在非常低的沉积温度下(≤100℃)实现低刻蚀速率，低应力和低界面态密度。详见SI 500 D介绍!
灵活的PECVD系统SI 500 PPD 具有多种标准的等离子沉积工艺。用电容耦合等离子体沉积SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si。灵活的设计允许使用气态或用于PECVD的液体前驱体TEOS。详见SI 500 PPD 介绍!
直接置片的PECVD设备Depolab 200 结合了成本效益的直接载片和平行板等离子体源在一起的基本的，紧凑的设计。易于使用的直接载片系统实现了用户友好的批量工艺(使用载片器或直接加载到衬底电极)。智能的PECVD系统可以升级，以达到提高性能的需求。详见Depolab 200 介绍!
