西安交通大学采购配备新的激光原位椭偏纳米技术的ALD设备
SENTECH仪器是等离子刻蚀和沉积工艺设备以及基于椭偏法的薄膜测量仪器的供应商。
SENTECH仪器公司开发了先进的PTSA(平行板三螺旋天线)电感耦合等离子体源，该等离子体源为ICP等离子体刻蚀机提供用于低损伤高速刻蚀的核心等离子体技术，并且用于ICPECVD低温沉积系统。直到近期，SENTECH仪器通过ALD和等离子体增强ALD系统扩展了其ICPECVD工艺，以便能够沉积高度保形和致密的金属薄膜氧化物和金属层。
西安交通大学采购的SENTECH创新的原子层沉积(ALD)设备。ALD设备配有SENTECH原位激光椭偏仪，是监测和开发新的原子层沉积过程的独特工具。SENTECH原位激光椭偏仪用于先进的实时生长过程监测，提供了极好的结果，特别是因为这两个设备都是由SENTECH仪器制造的。
西安交通大学的ALD设备集成了原位椭偏仪，使用户能够在高时间分辨率的工艺过程中测量沉积层的膜厚和折射率。ALD设备配置用于热处理和等离子体增强处理，其可以集成到配方中而不需要人工手动干预。这两个工艺都可以通过Al2O3的原子层沉积来证明。
西安交通大学可再生能源纳米材料中心的技术助理Ji Xing女士，她将监督与ALD设备有关的所有实验和研究活动。经过安装和深入的技术培训以及SENTECH技术服务部对工艺的介绍，Xing女士已经能够自己熟练地操作ALD和椭偏仪。
引述Xing女士的话说：“我们对SENTECH技术服务和专业工作非常满意，SENTECH已经满足了我们对ALD设备及其椭偏仪的所有期望。
所有工艺的优异性能促使西安交通大学为其新的原子层沉积设备订购额外的工艺，SENTECH很高兴提供应用支持，我们期待着进一步的合作!
